作者戴笠
集微网消息，据台媒钜亨网报道，晶圆代工龙头台积电将在周四（29日）举办3纳米量产暨扩厂典礼，此次为台积电罕见举办先进制程量产实体活动，因此备受外界关注。
台积电日前发出活动通知，预计12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地，举行3纳米量产暨扩厂典礼，南科18厂是5纳米及3纳米生产基地，其中第五至九期厂房将投入量产3纳米。
报道评价，由于台积电过去先进制程量产鲜少公开举办活动，因此这次罕见发出活动通知格外受瞩。业界认为，台积电宣布3纳米量产时间较晚，一来是展示技术实力，二来是直接展现深耕中国台湾决心，化解外界“去台化”疑虑。
众所周知，三星今年6月30日抢先宣布3纳米环绕闸极（GAA）技术量产，并于7月25日在京畿道华城厂区内盛大举行3纳米GAA芯片产品出厂纪念活动。不过，三星3纳米效能与客户群始终备受外界质疑，台积电大动作宣布量产可能是想展示技术实力。
据了解，台积电的南科晶圆18厂是5纳米及3纳米的生产基地，其中，晶圆18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。台积电美国亚利桑那州厂第1期工程，预计2024年量产4纳米；第2期工程开始兴建，预计2026年生产3纳米制程，两期工程总投资金额约400亿美元，两期工程完工后合计将年产超过60万片晶圆。
